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锦正茂二维亥姆霍兹线圈技术指标

更新时间:2023-01-30 点击量:1097

锦正茂二维亥姆霍兹线圈技术指标  典型的单轴亥姆霍兹线圈是具有相同线圈匝数,相同线圈绕制方式,线圈半径等于线圈间距的两个线圈组成的。亥姆霍兹线圈一般用来产生体积比较大、均匀度比较高, 但磁场值比较弱的磁场。用户可以利用这个磁场来完成各种实验,亥姆霍兹线圈可根据不同的应用产生静态DC或AC磁场。其主要用途有:地球磁场的抵消、判定磁屏蔽效应、电子设备的磁化系数、磁通门计和航海设备的校准、生物磁场的研究及与磁通计配合使用检测永磁体特性。适用于各研究所,高等院校及企业做物质磁性或检测实验,应用于材料、电子、生物、医疗、航空航天等领域。

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锦正茂二维亥姆霍兹线圈技术指标  锦正茂科技有限公司拥有自己的磁场开发团队,在亥姆霍兹线圈的设计方面具有丰富的经验,生产的亥姆霍兹线圈的质量和稳定性具有其它厂家*的*性。可为您提供一维,二维和三维的亥姆霍兹线圈。所涉及的线圈可以是固定的,也可以是旋转的,形状可以是球形或立方体。所产生的磁场的范围可以从几百nT到上千高斯,磁场的均匀度在均匀区内可以达到万分之一。您可以将您的要求反馈给我们,我们可以根据您的设计要求进行仿真计算设计。所有特殊的安装要求应该在应用中注明。相信我们*的技术,*设计思想和我们*的制造工艺能给您提供满意的产品和服务。

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二维亥姆霍兹线圈技术指标:

磁场方向X轴、Z轴相互正交,X轴水平磁场可旋转,X轴高磁场强度可达240Gs,Z轴高磁场可达240Gs。平均直径极小值220mm,均匀区球体Φ30mm,均匀度0.1%,Z轴电源功率800W,X轴2800W。





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