主要技术指标：
※ 温度范围：室温—350℃（硅片上边温度）
※ 控温精度：±1℃
※ 温度分辨率：0.1℃
※ 样品尺寸：8英寸（需要有固定夹具，还有10mmx10mm,20mmx20mm样品也需要考虑单独固定）
※ 样品温度：精圆上单独放一个温度计，测量精圆表面温度（温度计封装在镀金无氧铜块内，铜块与精圆接触测温，使用比较细的软线方便移动与测量）
※ 磁场强度：＞1000oe（样品测试处磁场）
※ 持续工作时间：5小时
※ 样品台尺寸：210mm （根据实际可更改，不小于8英寸），
※ 样品台采用三维移动方式，移动行程:±110mm,移动精度：10um
※ 样品台主要零部件材质均为上等无磁合金制作；
※ 在室温到350度，升温速率优于10K/min，*高加热温度350℃；控温精度：±1℃；
※ 加热时，加热丝被封装在石英管内，极大程度的减少由于加热丝的挥发造成样品表面附着物的污染；
※ 匹配磁铁电源：双极性，稳定度优于±25ppm/h，平滑过零无断点；
※ 匹配电磁铁：长时间运行稳定度<±0.5Gs；
※ 冷却方式：自然冷却。
