ARPES（角分辨光电子能谱）腔体的磁屏蔽主要依赖高导磁材料与精密结构设计的结合，目的是为光电子的飞行路径提供一个几乎无磁场干扰的环境，从而确保能谱数据的准确性。外部磁场，哪怕是地磁场这样微弱的场，也可能使出射电子发生偏转，影响探测器对角度和能量的**捕捉，因此必须通过系统性手段加以抑制。
实现这一目标的核心方式是使用μ金属等高导磁材料构建封闭的屏蔽层。这类材料具有*高的磁导率，能够将外部磁感线引导绕行，避免其穿透腔体内部。实际应用中，通常采用多层结构包裹整个测量区域，以显著提升屏蔽效果。这种被动屏蔽对低频甚至静态磁场尤为有效，是磁屏蔽的基础。
在结构设计上，屏蔽腔体需要保证连续性和密封性，防止磁泄漏。例如，使用镀锌冷轧钢板作为支撑外壳，并通过模块化焊接工艺减少形变，确保整体稳定性。屏蔽门的接缝处会安装铍青铜指状簧*，实现弹性接触，使关闭状态下仍能维持高效屏蔽。各类管线接口也需特殊处理：电源线经由TN-S制滤波器引入，通风口则采用六角蜂窝波导窗，在满足功能需求的同时阻断磁场传播路径。
对于更高精度的实验，仅靠被动屏蔽还不够，还需引入主动补偿技术。通过布置磁场传感器与补偿线圈系统，实时监测并反向抵消残余磁场波动，可将腔体内部磁场进一步压制到3nT至300nT之间，相当于地磁场的万分之一以下。此外，考虑到某些材料在低温下可能表现出更强的磁性，应尽量避免在样品台附近使用不锈钢部件，以防产生局部磁场扰动。
整个屏蔽系统还需配备独立接地装置，接地电阻控制在1Ω以下，并使用50mm²绝缘铜缆直接连接建筑主接地点，确保屏蔽体与大地等电势，防止静电积累和外部电场干扰。同时遵循电磁兼容设计原则，将干扰源与敏感电路分离，提升系统的整体稳定性。
综上所述，ARPES腔体的磁屏蔽是一项融合材料科学、机械工程与电磁控制的综合技术，广泛应用于对磁场敏感的精密测量场景中，为获得真实可靠的电子结构信息提供了关键保障。
