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霍尔效应实验背景及实验目的

更新时间:2023-01-30 点击量:663

霍尔效应实验背景及实验目的


实验背景

置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,称为霍尔效应。  霍尔效应实验背景及实验目的  


如今,随着半导体物理学的迅速发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且随着电子技术的发展,利用该效应制成的霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz)、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。  您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技",就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!

实验目的

1. 通过实验掌握霍尔效应基本原理,了解霍尔元件的基本结构;

2. 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术;

3. 学会用“对称测量法"消除副效应所产生的系统误差的实验方法。

4. 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。

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实验仪器

霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。

锦正茂科技研发的霍尔效应测试系统,类型分为电磁铁型、高磁场型、高低温磁场型、低温型和高阻型,用于量测电子材料的重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或固体材料均可。该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知*度。







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