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DT640硅二极管温度传感器技术参数

更新时间:2026-08-14 点击量:15

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DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管,具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度(V-T)曲线,因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。

DT640-BC型裸片温度计,相比市场上的其它温度计,具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。   

特点:

激励电流小,因而具有很小的自热效应; 

符合标准曲线,具有良好的互换性;

多种封装,不易损坏、耐温度冲击、易于安装;

在宽温度范围1.4K-500K内,可提供较好的测量精度;

遵循DT-640标准温度响应曲线;

多种可选封装方式

参数

温度范围:3K~500K

标准曲线:DT640

推荐激励电流:10µA±0.1%

可重复性:10mK@4.2K16mK@77K75mK@273K

反向电压高达75V

损坏前电流高达:长时间200mA 或瞬间1A

推荐激励下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K

BC封装响应时间:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K

辐射影响:只推荐在低辐射场合下使用;

磁场影响:不推荐在磁场环境下使用

典型相应曲线以及灵敏度

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封装形式以及外形尺寸:

为满足不同用户使用条件的需求,锦正茂可以提供多种形式结构类型的温度计封装以及尺寸,下面几种均为常见的封装形式和其具体尺寸。我们也可以按照客户需求进行设计。

MS:带公制螺丝    BO:线轴封装    PI:管式封装     BC裸片  

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