FCP磁场控制平台是根据磁控原理设计的理想磁测量系统，磁场范围超过3T，利用TESTIK475高斯计稳定磁场控制，适合各系列电磁铁配置，连续可变的电磁气隙，实心的和光学入口极帽，线型双极，真实四象限电磁铁电源。

霍尔效应测试系统 半导体材料测量仪 技术指标： * 磁 场：大于 5000 高斯（间距 18mm） * 样品电流：±50 纳安~±50 毫安（小可调节电流为 0.1nA） * 测量电压：0.1 微伏~30 伏 * 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同） * 小分辨率： 1GS * 磁场范围： 0.5T * 配合高斯计或数采板可计算机通讯

变温霍尔测量系统组成：本仪器系统由永磁体、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高精度高斯计和系统软件组成。为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。

教学霍尔测试仪 半导体材料电学测量 技术指标： 磁 场：10mm 间距为 2T 30mm 间距为 1T * 样品电流：0.05uA~50mA（调节 0.1nA） * 测量电压：0.1uV~30V * 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同） * 小分辨率：0.1GS * 磁场范围：0-1T * 配合高斯计或数采板可计算机通讯