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锦正茂霍尔效应测试系统JH60D低温型测量仪

【概要描述】锦正茂霍尔效应测试系统JH60D低温型测量仪
产品概述:
本仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、*精度恒流源*精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件。为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。

型号: 点击量:1289 厂商性质:生产厂家 更新日期:2025-09-02
产品详情
品牌锦正茂产地类别国产


低温型产品概述:

霍尔效应测试仪由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦,控温仪,系统软件组成。为本仪器系统专门研制的JH10效应仪将恒流源,六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体,大大减化了实验的连线与操作。JH10可单独做恒流源、微伏表使用。锦正茂霍尔效应测试系统JH60D低温型测量仪

用途:用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等 锦正茂霍尔效应测试系统JH60D低温型测量仪

可测试材料: Ø

半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等

低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等

高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等





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