| 品牌 | 锦正茂 | 应用领域 | 电子/电池,航空航天,电气,综合 |
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霍尔效应测试仪—高低温磁场型本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。霍尔效应实验仪高低温磁场型测试系统
产品概述：
本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier oncentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。霍尔效应实验仪高低温磁场型测试系统
可测试材料:
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等；
低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等；
高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。
技术指标:
* 电磁铁磁场：10mm间距为2T 、 30mm间距为1T
* 样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA)
* 测量电压：0.1uV~30V
* 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）
* 分辨率极小值：0.1GS
* 磁场范围：0-1T
* 配合高斯计或数采板可计算机通讯
* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等
* 霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线
* 电阻率范围：5*10-5～5*102Ω.cm
* 电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms
* 载流子浓度：5*1012～51*1020cm-3
* 霍尔系数：±1*10-2～±1*106cm3/C
* 迁移率：0.1~108cm2/volt*sec
* 温度调节 0.1K
* 温区：78K-475K,室温-773K（选配）
* 测试全自动化，一键处理
* 可实现相同温差间的连续测量
北京锦正茂科技有限公司是北京高科技企业，公司注册资金500万，实行总经理负责制，按集团公司模式运作，产品经营区域覆盖全国二十几个省、市。
作为北京高科技企业，锦正茂科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮、液氦）制冷机系统集成定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。
锦正茂始终秉承“诚信、合作、创造、共赢"的经营理念，将现代化管理技术引入到产品生产与管理中，通过新的平台建设，形成具有一定市场竞争力的高科技企业。
公司目前拥有各类技术人员30余名，其中产品研发工程师10余名（高级工程师4名）、工艺工程师3名、检测工程师2名，售后服务工程师3名。已形成完整的设计、生产、安装、调试、维修及相关配套服务的专业化的人才队伍。承接大、中、小型仪器仪表的设计、生产、安装、调试、维修业务。
