描述：霍尔效应测试系统 半导体材料测量仪技术指标：* 磁 场：大于 5000 高斯（间距 18mm）* 样品电流：±50 纳安~±50 毫安（小可调节电流为 0.1nA）* 测量电压：0...

描述：变温霍尔测量系统组成：本仪器系统由永磁体、高精度恒流源高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高精度高斯计和系统软件组成。为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂...

描述：教学霍尔测试仪 半导体材料电学测量技术指标：磁 场：10mm 间距为 2T 30mm 间距为 1T * 样品电流：0.05uA~50mA（调节 0.1nA） * 测量电压：0.1uV~30V * ...

描述：霍尔效应测试系统 高低温磁场型实验仪器*精度电磁铁极头直径 100mmN，S 间距 10mm 时大磁场 20000GsN，S 间距 20mm 时大 13000 高斯N, S 间距 30mm 时大磁场 ...

描述：霍尔效应测试系统低温型测量仪JH60D产品概述： 本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、*精度恒流源*精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、系统软件。为本仪器系统专门研制的 JH10效应仪将...

描述：定制磁控线圈 二维亥姆霍兹线圈技术指标：磁场方向X轴、Z轴相互正交，X轴水平磁场可旋转，X轴高磁场强度240Gs，Z轴高磁场240Gs。小平均直径220mm，均匀区球体Φ30mm，均匀度0.1...